图书：《巨峰科技-半导体技术》

文章：GaN发光二极管衬底材料研究进展

编号：JFKJ-21-311

< p>作者：巨峰科技

摘要

？ GaN基发光二极管作为第三代照明器件，近年来发展迅速。基板材料作为 LED 制造 基本上，它对器件的制备和应用有着极其重要的影响。本文分析总结了影响LED器件设计和制造的基板材料的关键特性（晶格结构、热膨胀系数、导热系数、透光率、电导率），比较了几种常见基板材料（蓝宝石）的研究进展。 、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧化镓）在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面，并比较了几种常见的衬底材料。对这些材料的发展进行了展望。

关键词：发光二极管，氧化镓，蓝宝石，碳化硅

简介

？自1993年InGaN将蓝色发光二极管（LED）引入市场以来，LED的发光效率实现了质的飞跃。以GaN为代表的III族氮化物半导体材料已成为固态照明领域最有前途的材料，是高效白光LED照明的商业化发展方向。提供了可能性。

LED的制备及影响其性能的关键因素以及基板材料对其的影响

？表征LED性能的首要考虑参数是：发光效率和光通量，其正向电压、正向电流、与LED工作时的内量子效率）、外量子效率与光提取率的关系为

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基板材料的特性及应用现状

微蓝宝石

碳化硅

单晶硅略

总结与展望

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?基板材料所需的性能由LED器件的性能决定。大功率、高光效是LED器件发展的必然方向。作为LED核心的基板材料——有源层结构生长的基础。

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