材料研究学报

云南大学破冰硫化铂材料瓶颈,性能优于第三代 

来源:材料研究学报 【在线投稿】 栏目:综合新闻 时间:2021-07-07

IT之家7月6日讯 据科技日报报道,6月20日,云南大学材料与能源学院爆料,该校杨鹏、万艳芬团队突破瓶颈硫化铂材料和溶解石墨类材料。大面积、均匀的小层硫化铂的烯烃类材料的合成及其结构和物理性能存在一系列问题。

云南大学杨鹏副教授介绍,石墨烯(碳基第三代半导体材料)作为典型的二维纳米材料,具有化学、光学、电学、和机械,并被广泛应用然而,石墨烯具有零带隙和低光吸收等缺点,限制了其更广泛的应用。与此同时,类石墨烯材料应运而生。作为类石墨烯材料的典型代表,过渡金属硫属化物不仅具有类似石墨烯范德华力的层状结构,而且具有优异的光、电、磁性能。 可以更好地弥补石墨烯的不足,大大拓宽了半导体材料的实际应用范围

当今二维材料普遍面临的材料面积小、转移困难等问题,对半导体产业的发展形成了一定的影响。针对这些问题,云南大学材料与能源学院、云南省微纳材料与技术重点实验室杨鹏、万艳芬团队在合适的温度和压力下,将物理气相沉积和化学气相沉积相结合使适应。 ,实现大面积平方厘米级、小层数、均匀的硫化铂材料的制备,并表征相关的物理性质,为未来硫化铂的生产和商业化提供了便利。

值得一提的是,与台积电在1nm测试中试用的半金属铋元素相比,硫化铂的成本更低,输出效率更高,实际性能更好。 , 这使得硫化铂成为摩尔定律延续的最佳候选之一。

据悉,该研究成果为大面积电子器件的发展提供了新的思路和技术基础,为扩大过渡金属硫属元素化物的应用范围提供了重要参考。未来。 IT之家了解到,相关研究成果发表在国际知名材料学术期刊《现代材料物理学》上。

云南大学成功破冰硫化铂半导体材料,为国内集成电路、光电等半导体行业开发更广泛的应用器件提供支持。有望成为我国在芯片代工领域相当于国外半导体技术的关键材料。

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