《材料研究学报》
所谓第三代半导体,是指以氮化镓和碳化硅为核心材料替代传统硅材料,同时具有新原理、新材料、新结构、新工艺的新型半导体产业链。
核心研究院消息,第三代半导体作为国产半导体要实现“超越英国、赶超美国”,确立新的蓝海领先地位,其开发建设尤为突出重要的。北京第三代半导体材料与应用联合创新基地建设项目近日竣工验收。
图片来自网络(核心研究院编辑)
是据了解,创新基地围绕光电子、电力电子、微波射频三大应用领域,打造第三代半导体技术、封装测试、可靠性测试、技术服务四大基础平台。
在硅材料制造工艺无限接近极限的时候,摩尔定律每18个月晶体管数量翻一番,逐渐失效。使用可以替代硅的新材料开发芯片,或许可以更好地解决目前半导体开发的困境。
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以及第三张新一代半导体材料应用与应用联合创新基地建设项目的完成,为下一步建设第三代半导体工艺线、实现国产核心芯片产业化奠定了坚实的基础!
(作者:陈浩?编辑:Martin)
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