文章摘要:光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数．本文以几个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象，深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件．由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用，所以该阱层中不仅存在着杂质/缺陷相关的非辐射中心，也存在着组分起伏诱发的局域势起伏以及极化场诱发的量子限制斯塔克效应（QCSE）．因此，为了获得目标温度下InGaN阱层的较为精确的光学带隙，我们提出了荧光测量至少应满足的测试条件，即必须消除该目标温度下非辐射中心、局域中心以及QCSE对辐射过程的影响．尽管这些测试条件尚有待于进一步被完善，但期望本测试方法能够为半导体光学带隙测量提供有价值的指导或思路．

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论文分类号:O472;O657.3

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